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The BRIEF

Huawei registra patente de chip de 2 nm para driblar restrições dos EUA

A empresa chinesa desenvolveu uma nova técnica para a fabricação de processadores avançados, mas pode ter dificuldades para colocá-la em prática.

Avatar do(a) autor(a): André Luiz Dias Gonçalves

schedule03/12/2025, às 09:00

updateAtualizado em 04/02/2026, às 08:52

A Huawei tem uma carta na manga para driblar as restrições impostas pelo governo dos Estados Unidos. Trata-se de uma técnica inovadora para a produção de chips avançados de 2 nanômetros (nm) com uma tecnologia antiga, apresentada em uma patente de 2022 e revelada agora.

Descoberto recentemente por um investigador especializado em semicondutores, o documento descreve como a gigante chinesa planeja fabricar chips de 2 nm utilizando a litografia de ultravioleta profundo (UVP), em substituição ao sistema de ultravioleta extremo (UVE). A última é mais avançada, porém está inacessível às empresas da China.

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Como a Huawei quer fabricar chips de 2 nm?

Para superar a falta de acesso às novas tecnologias, a big tech precisará superar os Erros de Posicionamento de Borda (EPE) na interconexão do processador. Essas falhas comprometem a produção em nós avançados, nos quais o espaçamento entre as linhas metálicas é extremamente limitado.

  • A proposta é corrigir essas limitações com o uso de um mecanismo de dupla máscara, mesclando dois materiais distintos com o sistema UVP;
  • Na patente, também é citado um método de padronização em duas etapas que criaria linhas metálicas estreitas e reforçaria a sua proteção contra curtos;
  • Dessa forma, a Huawei acredita ser possível aproveitar espaçamentos de metal inferiores a 21 nm e chegando próximo aos 2 nm sem depender da tecnologia mais avançada;
  • Como resultado, ela teria a capacidade de produzir chips avançados comparáveis aos construídos em processo de 2 nm da TSMC e outras gigantes do setor.

O pedido de registro de patente foi feito no dia 8 de junho de 2022 e publicado em 10 de janeiro de 2025, com o título de “Método de integração de metal para fabricação de dispositivos integrados”. As autoridades chinesas seguem analisando o documento e ainda não deram resposta à solicitação.

Por enquanto, a empresa alcançou somente a litografia de 5 nm, utilizada na fabricação dos chips Kirin 9030 e Kirin 9030 Pro, anunciados recentemente e feitos em parceria com a SMIC na tecnologia N+3. Eles alimentam os smartphones da série Mate 80.

O projeto é viável?

O método descrito na patente tem potencial para ser bem-sucedido, mas não há certeza de que irá funcionar, na prática, como ressalta o pesquisador de semicondutores, Frederick Chen, que encontrou o documento. Para ele, o projeto não apresenta garantia de viabilidade e rendimento.

Caso a técnica funcione, é possível que tenha baixa taxa de sucesso na produção, gerando um número reduzido de chips de boa qualidade e, mesmo assim, distante dos componentes produzidos com máquinas UVE, gerando prejuízo financeiro. Por isso, o especialista vê a viabilidade comercial da proposta com ceticismo.

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Perguntas Frequentes

O que motivou a Huawei a desenvolver uma nova técnica de fabricação de chips?
A Huawei desenvolveu uma nova técnica para fabricar chips de 2 nanômetros como forma de contornar as restrições impostas pelo governo dos Estados Unidos, que impedem empresas como Qualcomm e Intel de venderem chips avançados para a companhia chinesa.
Qual é a principal inovação apresentada na patente da Huawei?
A principal inovação é o uso da litografia de ultravioleta profundo (UVP) para fabricar chips de 2 nm, substituindo a litografia de ultravioleta extremo (UVE), que é mais avançada, porém inacessível às empresas chinesas devido às sanções internacionais.
O que é litografia UVP e por que ela é relevante nesse contexto?
A litografia de ultravioleta profundo (UVP) é uma técnica mais antiga de fabricação de chips que utiliza luz com comprimento de onda maior do que a litografia de ultravioleta extremo (UVE). A relevância está no fato de que a Huawei propõe usar essa tecnologia mais acessível para alcançar resultados comparáveis aos obtidos com UVE, contornando assim as restrições tecnológicas.
Quais são os principais desafios técnicos enfrentados pela Huawei nessa abordagem?
Um dos principais desafios é superar os Erros de Posicionamento de Borda (EPE), que afetam a precisão na interconexão dos processadores em nós avançados. Esses erros dificultam a produção de chips com espaçamentos metálicos extremamente reduzidos, como os exigidos em processos de 2 nm.
Como a Huawei pretende resolver os problemas de EPE na fabricação dos chips?
A Huawei propõe o uso de um mecanismo de dupla máscara com dois materiais distintos, aliado a um método de padronização em duas etapas. Essa abordagem visa criar linhas metálicas mais estreitas e protegidas contra curtos, permitindo espaçamentos inferiores a 21 nm e viabilizando a produção de chips de 2 nm com UVP.
Essa técnica pode colocar a Huawei em pé de igualdade com outras fabricantes de chips?
Sim. Se for bem-sucedida, a técnica descrita na patente permitiria à Huawei produzir chips avançados comparáveis aos fabricados por empresas como a TSMC, que já trabalha com processos de 2 nm, mesmo sem acesso à tecnologia de litografia mais moderna.
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